Стр. 6 - 2014_4_bankin

6
Задача 1.3
Для схемы рис. 1.3,а полупроводникового стабилизатора напряжения с
кремниевым опорным диодом VD определить пределы изменения напряжения
Uн= 7,85 В на нагрузочном резисторе Rн= 12,5 кОм, если напряжение источника
питания U = 12 В изменяется в пределах ± 10%. Сопротивление балластного
резистора Rб=1000 Ом, вольт-амперная характеристика диода представлена на
рис. 1.3,б . Нелинейностью вольт-амперной характеристики на рабочем участке
пренебречь.
Рисунок 1.3.
Задача 1.4
Для полупроводникового стабилизатора напряжения на кремниевом дио-
де, схема которого приведена на рис. 1.3,а, определить допустимые пределы
изменения напряжения ± 2U на входе, а также коэффициент стабилизации Кст,
если напряжение питающей сети U = 12 В, сопротивление балластного резисто-
ра Rб=1000 Ом, напряжение на нагрузочном резисторе Uн= 7,6 В отклонение
напряжения на нагрузке 2Uн= ±0,4 В , а сопротивление нагрузочного резистора
Rн = 10 кОм.
2. Расчет h параметров биполярных транзисторов
Задача 2.1
Рассчитать значения h – параметров транзистора типа П 416, включенного
по схеме с общей базой , если известны значения этих параметров при включе-
нии транзистора по схеме с общим эмиттером: h11э=650 Ом; h12э=32310-3 ;
h21э= 40; h22э= 1,5310-4 См.